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碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)

2022-08-09 11:08:07  

碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。

它與硅半導(dǎo)體材料一樣,可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。

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其優(yōu)點(diǎn)是:

(1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。

(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。

(3)碳化硅有高的熱導(dǎo)率,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。

(4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.

(5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。

(6)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小,可靠性好。

(7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(》20KHz)。

(8)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。

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